一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型

• 作者: 吕红亮 张义门 张玉明 曹全君 汤晓燕 王悦湖 郭辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET 大信号 经验模型 Levenberg-Marquardt优化方法
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1023-1029
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.005

摘要

提出了一种简洁的新型4H-SiCMESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.