重构表面上Si薄膜生长的模拟研究

• 作者: 杨宇 杨瑞东 王全彪 王茺
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Si薄膜生长 动力学蒙特卡罗 岛密度 成岛温度
• 年，卷（期）: 2007,（z2）
• 所属期刊栏目: 纳米合成材料与技术
• 页码范围: 37-38,44
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 2832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.z2.014

摘要

建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学工程技术研究院	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学工程技术研究院	50	148	7.0	8.0