45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗

• 作者: 杨志家 杨松 王宏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极泄漏电流 SRAM 栅氧化层厚度 静态噪声边界
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 745-749
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 4335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.023

摘要

提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法.所提方法具有不增加面积和延时、改善静态噪声边界、对SRAM设计流程的改动很小等优点.提出了三种新型的SRAM单元结构,并且使用这些单元设计了一个32kb的SRAM,仿真结果表明,整体泄漏功耗可以降低50%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宏	中国科学院沈阳自动化研究所	143	1658	22.0	34.0
2	杨志家	中国科学院沈阳自动化研究所	40	407	10.0	19.0
3	杨松	中国科学院沈阳自动化研究所	8	78	4.0	8.0