非均匀条间距结构功率SiGe HBT

• 作者: 张万荣 沈珮 王扬 谢红云 金冬月
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 异质结双极晶体管 功率
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1527-1531
• 页数: 5页
• 分类号: TN323
• 字数: 305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.007

摘要

成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距HBT相比,非均匀结构HBT的峰值结温降低了22K.在不同偏置条件下,非均匀结构SiGe HBT均能显著改善芯片表面温度分布的非均匀性.由于峰值结温的降低以及芯片表面温度分布非均匀性的改善,采用非均匀发射极条间距结构的功率SiGe HBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王扬	北京工业大学电子信息与控制工程学院	13	48	4.0	6.0
2	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
3	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
4	谢红云	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	215	8.0	9.0
5	沈珮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	18	85	6.0	7.0