O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响

• 作者: 俞笑竹 卫永霞 叶超 宁兆元 梁荣庆 钱晓梅
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCOH薄膜 O2掺杂 介电性能 键结构
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1172-1176
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3926字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.092

摘要

以+甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CvD)方法制备了κ=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	70	528	12.0	18.0
2	梁荣庆	复旦大学现代物理研究所	7	29	3.0	5.0
3	叶超	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	33	244	10.0	14.0
4	俞笑竹	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	4	20	3.0	4.0
5	卫永霞	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	1	3	1.0	1.0
6	钱晓梅	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	1	3	1.0	1.0