闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性

• 作者: 李树深 毕京锋 王玮竹 赵建华 邓加军 郑玉宏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半金属 室温铁磁性 分子束外延
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 204-207
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.050

摘要

利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	68	886	17.0	27.0
2	邓加军	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	4	109	1.0	4.0
4	毕京锋	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
7	郑玉宏	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
8	王玮竹	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	4	1	1.0	1.0