(SiC)p表面修饰和表征及动力学分析

• 作者: 宿辉 尉法兵 曹茂盛 杨春艳
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 化学
• 关键词: (SiC)p 表面修饰 化学镀 动力学
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 科学研究
• 页码范围: 38-39
• 页数: 2页
• 分类号: O6
• 字数: 1796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2007.08.016

摘要

利用简单的化学镀技术,通过改进前处理工艺,对(SiC)p进行低成本的表面修饰,获得了镀层连续,无光滑(SiC)p裸露的较高质量的改性碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)p].SEM、EDS、XRD测试结果表明,修饰后的(Ni/SiC)p较修饰前的(SiC)p导电性提高,形貌、组成、结构发生改变.同时对(SiC)p表面修饰的动力学机理给出初步分析,并尝试给出该过程的碰撞速率方程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宿辉	黑龙江工程学院材料与化学工程系	35	271	7.0	16.0
2	曹茂盛	北京理工大学材料科学与工程学院	64	562	14.0	22.0
3	杨春艳	黑龙江工程学院材料与化学工程系	1	0	0.0	0.0
4	尉法兵	黑龙江工程学院材料与化学工程系	1	0	0.0	0.0