碲铟汞晶体的生长及其电学特性

• 作者: 介万奇 王领航 董阳春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Hg3-3xIn2xTe3 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1069-1071
• 页数: 3页
• 分类号: O782
• 字数: 2026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.013

摘要

利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω·cm,载流子浓度为2.83×1013 cm-3,载流子迁移率为4.6×102 cm2/(V·s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	王领航	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	11	41	5.0	5.0
3	董阳春	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	4	11	2.0	3.0