GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现

• 作者: 林基明 陈维富
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓金属半导体场效应晶体管 振荡器 相位噪声
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 304-307
• 页数: 4页
• 分类号: TN753.9
• 字数: 2282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.04.008

摘要

通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器.电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化.由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14.95dBm,在200kHz下的相位噪声为-124.26 dBc/Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林基明	桂林电子科技大学通信与信息工程系	101	581	13.0	20.0
2	陈维富	桂林电子科技大学通信与信息工程系	5	9	2.0	2.0