辐照对SiGe HBT增益的影响

• 作者: 孟祥提 王吉林 贾宏勇 钱佩信 陈培毅 黄强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 电子辐照 γ射线辐照 Si BJT 直流增益
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 430-434
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.110

摘要

比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄强	清华大学核能与新能源技术研究院	12	69	6.0	8.0
2	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
3	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
4	贾宏勇	清华大学微电子学研究所	10	86	5.0	9.0
5	孟祥提	清华大学核能与新能源技术研究院	6	52	4.0	6.0
6	王吉林	清华大学微电子学研究所	8	41	4.0	6.0