竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长

• 作者: 曾一平 李晋闽 段垚 段瑞飞 王军喜 马平 魏同波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化物气相外延 理论模拟 GaN
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 253-256
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 1126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.063

摘要

根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
3	段瑞飞	中国科学院半导体研究所	8	34	4.0	5.0
4	马平	中国科学院半导体研究所	45	544	12.0	21.0
5	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
6	魏同波	中国科学院半导体研究所	13	254	7.0	13.0
7	段垚	中国科学院半导体研究所	5	13	3.0	3.0