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摘要:
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大.200 ℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀.同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符.
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文献信息
篇名 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 钝化层 光学相移法 应力
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 工艺技术与材料
研究方向 页码范围 47-51
页数 5页 分类号 TN3
字数 3447字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴月花 北京工业大学电子信息与控制工程学院 7 15 2.0 3.0
2 李志国 北京工业大学电子信息与控制工程学院 57 418 12.0 18.0
3 付厚奎 北京工业大学电子信息与控制工程学院 3 9 2.0 3.0
4 李秀宇 北京工业大学电子信息与控制工程学院 5 8 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
钝化层
光学相移法
应力
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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