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摘要:
提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,提高了器件的量子效率.进一步地研究结果还表明:采取较薄、载流子浓度较高的AlGaN层更有利于提高这种新结构器件的量子效率.
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文献信息
篇名 一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 GaN 肖特基结构 紫外探测器 AlGaN
年,卷(期) 2007,(9) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 5513-5517
页数 5页 分类号 O57
字数 3314字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.088
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵德刚 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 42 214 9.0 12.0
2 周梅 中国农业大学理学院应用物理系 22 69 5.0 7.0
3 左淑华 中国农业大学理学院应用物理系 2 13 2.0 2.0
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肖特基结构
紫外探测器
AlGaN
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物理学报
半月刊
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1933
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