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摘要:
采用磁控溅射工艺在单晶Si<111>衬底上制备300 nm厚的Cu膜,用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响.结果表明:随着沉积温度、溅射功率及偏压的变化,Cu膜表面粗糙度历经了不同的演化过程.沉积粒子的扩散和晶粒生长之间的竞争决定了薄膜表面演化.
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文献信息
篇名 磁控溅射Cu膜的表面形貌演化研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 磁控溅射 薄膜 表面形貌
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目 工艺技术与材料
研究方向 页码范围 138-141
页数 4页 分类号 TN305.8|TB43
字数 2511字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.012
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作者信息
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1 雒向东 兰州城市学院物理与工程技术学院 30 121 7.0 9.0
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半导体技术
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1003-353X
13-1109/TN
大16开
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18-65
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