单源真空蒸发法制备ZnSe薄膜的实验研究

• 作者: 余晓艳 马鸿文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单源真空蒸发 ZnSe薄膜 电子探针 X射线粉晶衍射
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 863-868
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.032

摘要

本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度(700～1050 ℃)、基片温度(0～200 ℃)、基片材料(单晶硅、玻璃)以及热处理温度(300～400 ℃)等因素的改变对ZnSe薄膜的成份和结构的影响规律,建立了单源真空蒸发沉积ZnSe薄膜及热处理的实验方法.