质子辐射下GaAs/Ge太阳电池的性能退化

• 作者: 何世禹 吕伟 孙彦铮 张益君 肖景东 赵慧杰
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 质子辐射 性能退化
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 819-822
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2007.10.017

摘要

对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验.质子辐射的能量为70～170 keV,辐射的剂量为1×109～3×1012 cm-2.研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200 keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的增加,电池性能参数短路电流Isc、开路电压Uoc、最大功率Pm和填充因子FF衰降增大;质子辐射 剂量相同条件下,辐射能量越高,太阳电池性能衰降越大;在所有测试参数中,最大功率Pm的退化最为明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何世禹		122	1160	17.0	24.0
2	孙彦铮	中国电子科技集团公司第十八研究所	12	53	5.0	6.0
3	吕伟	中国电子科技集团公司第十八研究所	9	24	2.0	4.0
4	赵慧杰		11	51	5.0	6.0
5	肖景东		6	37	4.0	6.0
6	张益君		2	12	2.0	2.0