多晶硅TFT模型的研究进展

• 作者: 邓婉玲 郑学仁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 薄膜晶体管 紧凑模型
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 466-469,473
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 4093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.06.002

摘要

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范.虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够.最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学仁	华南理工大学微电子研究所	72	463	12.0	17.0
2	邓婉玲	华南理工大学微电子研究所	12	64	5.0	7.0