高纯四乙氧基硅、高纯二甲基二茂镁

• 来源期刊: 试剂与精细化学品
• 学科: 工学
• 关键词: 乙氧基 二甲基 高纯 硅烷 二茂 微电子产品 镁 亚微米级
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 22
• 页数: 1页
• 分类号: TQ655

摘要

本成果研制了高纯四乙氧基硅随着微电子线宽加工技术由微米进入亚微米级，用四乙氧基硅取代原制造芯片外延技术所用的硅烷（SiH4）特种气体，可以克服硅烷的化学活性高、腐蚀性强、分解温度高、毒性大、高压封存、纯度进一步提高困难等缺点，大大提高微电子产品的质量和集成度，本成果还研制了高纯二甲基二茂镁．解决了极端无氧无水操作工艺、超纯纯化、超痕量杂质分析方法等技术难点。