钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响

• 作者: 冯倩 张进城 郝跃 郭亮良 马香柏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电流崩塌 钝化 场板结构
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 73-77
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.016

摘要

由于AlGaN/GaN HEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaN HEMT 的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	52	301	9.0	14.0
3	冯倩	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0
4	郭亮良	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	29	3.0	4.0
5	马香柏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	15	3.0	3.0