激光功率对多孔硅微Raman谱的影响

• 作者: 万小军 任鹏 刘小兵 史向华 孙立来 廖家欣 李君求
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 热稳定性 微Raman谱 激光功率
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 138-140
• 页数: 3页
• 分类号: O433.1|O471.1
• 字数: 2720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.05.037

摘要

运用微Raman谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品以研究多孔硅的稳定性.用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度.观察比较不同温度下多孔硅样品的Raman谱趋向,发现在激光功率和样品温度之间的关系曲线上有3个过程,与Raman频移和Raman强度的曲线相一致.所有现象都可以用Si-O键和非晶Si被氧化的机制进行解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史向华	长沙理工大学物理与电子科学学院	10	15	3.0	3.0
2	刘小兵	长沙理工大学物理与电子科学学院	29	42	4.0	4.0
3	廖家欣	长沙理工大学物理与电子科学学院	17	68	4.0	7.0
4	任鹏	长沙理工大学物理与电子科学学院	12	32	3.0	5.0
5	孙立来	湖南文理学院物理系	1	4	1.0	1.0
6	李君求	长沙理工大学物理与电子科学学院	5	7	2.0	2.0
7	万小军	湖南城市学院计算机科学与技术系	20	20	2.0	3.0