MOCVD制备InN薄膜的光学性质

• 作者: 修向前 刘斌 孔洁莹 张勇 张荣 谢自力 郑有炓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铟 吸收光谱 光致发光谱 椭圆偏振光谱
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1761-1764
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2469字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.017

摘要

利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.68eV,接近于现阶段主要报道值0.7eV.喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度.利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E0,同时首次得到了在0.65～4.0eV能量范围内复折射率实部n,虚部k的色散曲线.