带边工作的光子晶体平板的设计与制作

• 作者: 唐海侠 王启明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体平板 SOI 光子带隙 带边 群速度
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 360-363
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 字数: 2601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.091

摘要

光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.文中以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和ICP刻蚀方法结合在SOI衬底的顶层Si上刻蚀三角晶格的空气孔形成光子晶体结构.并通过透射特性测量得到了带边的位置,发现与设计值存在一定的偏差,主要是实际制作的空气孔尺寸比设计值大的缘故.通过在同一样品上制作一组晶格常数相同、孔半径不同的光子晶体结构,得到了带边位置位于1548nm波长的光子晶体,与设计的1550nm基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	118	735	14.0	20.0
2	唐海侠	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	8	45	4.0	6.0