静电感应晶闸管的负阻转折特性

• 作者: 刘肃 唐莹 常鹏 李思渊 杨涛 胡冬青
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SITH 负阻转折特性 少子寿命 大注入
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.014

摘要

针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后Ⅰ-Ⅴ特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常鹏	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	39	295	10.0	16.0
2	胡冬青	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	7	67	5.0	7.0
3	李思渊	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	25	113	7.0	9.0
4	杨涛	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	13	175	7.0	13.0
5	刘肃	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	68	261	9.0	11.0
6	唐莹	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	6	56	4.0	6.0