ESD和方波脉冲对集成电路损伤效应异同性

• 作者: 刘尚合 谭志良 贺其元 陈京平
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 物理学
• 关键词: ESD脉冲 方波脉冲 集成电路 注入 异同性 参数
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: O441.1
• 字数: 3095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2007.07.024

摘要

为了考察不同波形脉冲对集成电路损伤效应的异同性,用ESD和方波脉冲对2种集成电路器件进行注入损伤效应实验,在采用曲线拟合分析法建立起波形参数与器件损伤参数间的数学模型后,讨论了不同脉冲注入时器件的损伤阈值和损伤机理.结果表明:2种注入方式对实验器件的损伤机理相同或类似;以损伤能量作比较,同一器件的ESD损伤阈值小于方波阈值;同属一个门类的这2种器件,方波阈值相差小而ESD阈值相差大且方波实验下所得器件敏感度排序与ESD脉冲注入时排序相同.2种注入方式下建立起的数学模型的表述形式虽有可能不同,但器件的损伤参数与脉冲参数间关系变化的实质规律不变.方波时可将所有参数都考虑进来拟合得到一个联合式,但ESD脉冲注入时这种拟合的准确度会降低,可能因实验脉冲参数变化的范围不大而引起.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘尚合	军械工程学院静电与电磁防护研究所	203	2590	23.0	39.0
2	陈京平	军械工程学院静电与电磁防护研究所	16	203	9.0	14.0
3	谭志良	军械工程学院静电与电磁防护研究所	62	313	9.0	15.0
4	贺其元	军械工程学院静电与电磁防护研究所	17	199	8.0	13.0