熔体外延法生长截止波长8～12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱

• 作者: 山口十六夫 高玉竹 龚秀英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 熔体外延 截止波长 透射光谱 微观分布
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 115-118
• 页数: 4页
• 分类号: O612.5
• 字数: 1977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.026

摘要

用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8～12mm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了InSb单晶和3种不同组分InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品截止波长与计算得到的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄现象,并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉竹	同济大学电子与信息工程学院	12	50	3.0	7.0
2	龚秀英	同济大学电子与信息工程学院	9	12	2.0	3.0
3	山口十六夫		1	0	0.0	0.0