InN的光学性质

• 作者: 刘文宝 孙苋 杨辉 江德生 王莉莉 王辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 88-90
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1233字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.019

摘要

对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	王辉	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	215	3061	28.0	49.0
3	江德生	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	14	36	3.0	5.0
4	王莉莉	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	35	511	12.0	22.0
5	刘文宝	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	孙苋	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	2	0	0.0	0.0