用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变

• 作者: 姚淑德 张国义 潘尧波 王欢
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlInGaN 高分辨X射线衍射 卢瑟福背散射/沟道 弹性应变
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3350-3354
• 页数: 5页
• 分类号: O46
• 字数: 2566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.051

摘要

利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(＞2 μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量;并结合高分辨X射线衍射技术,通过对AlInGaN的对称(0002)面,及非对称(10-15)面的θ-2θ扫描及倒空间扫描,可以精确测定AlInGaN外延层的晶格常数及水平和垂直方向的应变.实验结果表明AlInGaN薄膜中不同含量Al和In对其应变有较大的影响,结合Vegard定理,对这一现象给出了理论的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王欢	北京大学物理学院技术物理系	55	475	10.0	20.0
2	张国义	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	49	229	9.0	13.0
3	姚淑德	北京大学物理学院技术物理系	22	100	5.0	9.0
4	潘尧波	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	1	9	1.0	1.0