RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制

• 作者: 冯震 商耀辉 张雄文 李亚丽 郭维廉 齐海涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿晶体管 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 电流峰谷比
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1107-1111
• 页数: 5页
• 分类号: TN705
• 字数: 2864字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.021

摘要

依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
2	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
3	齐海涛	天津大学电子信息工程学院	27	319	10.0	17.0
5	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
6	李亚丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	12	2.0	3.0
9	张雄文	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	4	1.0	2.0