SONOS非挥发性存储器件的研究进展

• 作者: 房少华 程秀兰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SONOS器件 非挥发性存储器件 high-k
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1211-1215
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 4197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.021

摘要

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	房少华	上海交通大学微电子学院	8	25	3.0	4.0