硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究

• 作者: 周子鹏 张维连 索开南 赵嘉鹏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Seebeck系数 硅锗合金 热电材料 各向异性 热电转换
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 578-583
• 页数: 6页
• 分类号: TN24
• 字数: 3154字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.03.021

摘要

作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200～600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连	河北工业大学半导体材料研究所	27	203	9.0	13.0
2	索开南	河北工业大学半导体材料研究所	3	31	2.0	3.0
3	赵嘉鹏	河北工业大学半导体材料研究所	1	4	1.0	1.0
4	周子鹏	河北工业大学半导体材料研究所	1	4	1.0	1.0