一种热感集成电路功耗模型及其对动态电压调整技术的影响

• 作者: 刘勇攀 杨华中 汪蕙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 功耗模型 温度 动态电压调整
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 530-536
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 字数: 771字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.011

摘要

提出了一种新型热感功耗模型,该模型能够准确估计出电压调整情况下的功耗和温度.实验结果表明如果忽略热效应,泄漏功耗将会被低估最高达52%.使用电压调整技术对电路的能量消耗和温度进行协同优化时,两者具有不一致的优化方向.温度是未来集成电路发展的一个重要限制因素,而温度优化方法可以降低电路温度最高达12℃,同时其能耗的增长低于最优解的1.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨华中	清华大学电子工程系	92	500	13.0	16.0
2	汪蕙	清华大学电子工程系	38	398	11.0	19.0
3	刘勇攀	清华大学电子工程系	9	32	4.0	5.0