基于不同测量手段的纳米晶器件的存储特性

• 作者: 何洋 张志刚 朱钧 李蔚 梁仁荣 王柳笛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶 存储 测量
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1169-1172
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.001

摘要

对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括+/-BT分析. 揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性. 研究结果表明,高温、大电压摆幅和偏置情况下,器件编程窗口的恶化和阈值电压的漂移与多数载流子的种类有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱钧	清华大学微电子与纳电子学系	43	464	12.0	20.0
2	李蔚	清华大学微电子与纳电子学系	18	279	9.0	16.0
3	张志刚	清华大学微电子与纳电子学系	6	15	1.0	3.0
4	梁仁荣	清华大学微电子与纳电子学系	10	43	4.0	6.0
5	何洋	清华大学微电子与纳电子学系	6	35	4.0	5.0
6	王柳笛	清华大学微电子与纳电子学系	1	1	1.0	1.0