热丝法氢处理多晶硅锗薄膜

• 作者: 张建军 耿新华 胡增鑫 谷士斌 赵颖
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热丝法 氢处理 多晶硅锗
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 317-322
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.001

摘要

优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件.通过测试材料暗电导的温度特性得出多晶硅锗材料的电导激活能,从而考察氢处理效果.结果表明,采用此技术可有效减少多晶硅锗薄膜中的缺陷态.在优化氢处理时衬底和热丝的温度后,可以把处理时间缩短致30min之内,明显短于其他氢处理技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿新华	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	62	364	13.0	17.0
2	赵颖	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	105	1195	16.0	33.0
3	张建军	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	26	54	5.0	7.0
4	胡增鑫	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	谷士斌	南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	1	2	1.0	1.0