高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制

• 作者: 李璟 王俊 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱激光器 锥形增益 脊形波导 14xx nm InGaAsP/InP
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 108-112
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.023

摘要

初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xx nm InGaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity-spoiling grooves)将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模,进一步改善远场光束质量.保持总腔长1900μm不变,改变脊形区的长度,其长度分别为450,700和950μm.对比三种情况的最高输出功率和远场特性,发现LRW＝700μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率为0.32W/A,饱和输出功率为1.21W,其远场为近衍射极限的高斯分布,发散角为29°×9.6°.当固定脊形区长度为700μm,改变锥形区长度,发现当锥形区长度为1000μm时,器件特性参数进一步提高,斜率效率达0.328W/A,饱和输出功率为1.27W,远场仍为近似高斯分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	130	1155	16.0	27.0
2	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	93	616	12.0	21.0
3	李璟	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	11	23	2.0	4.0