基于智能剥离技术的SOI材料制备

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 朱国良 樊敏 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 智能剥离 低温直接键合
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1668-1673
• 页数: 6页
• 分类号: TB3
• 字数: 2979字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.073

摘要

优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2 Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 nm,缺陷密度为90 cm-2,键合强度达到153.7 kg/cm2,形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好的绝缘层,避免了高温过程对有源层器件结构、材料及性能的影响,还能为三维集成电路后续有源层的制造提供高质量的单晶硅材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	朱国良	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	47	3.0	3.0
3	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0
4	舒斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	109	8.0	10.0
5	樊敏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	10	1.0	1.0