一种低电压低功耗的甲乙类S2I存储单元

• 作者: 王卫东 蔡良军
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 开关电流 甲乙类 存储单元 S2I 低电压
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 165-167,171
• 页数: 4页
• 分类号: TN732
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.11.056

摘要

提出了一种低电压、低功耗的甲乙类S2I存储单元,电源电压为±0.5 V.电路采用CMOS开关以增大输入信号动态范围,使用交叠时钟控制方案以改善性能.使用EKV MOS晶体管模型参数进行了电路仿真,仿真结果表明该电路的性能优于基本甲乙类存储单元.文中也给出了基于该存储单元的通用积分器电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卫东	桂林电子科技大学信息与通信学院	104	218	6.0	7.0
2	蔡良军	桂林电子科技大学信息与通信学院	3	10	2.0	3.0