MOS器件抗静电性能分析

• 作者: 常天海 汪志成 王再新 黎曦
• 来源期刊: 安全
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件 ESD损伤 物理过程 防护措施
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 安全科学技术
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TM5
• 字数: 3457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-3631.2007.02.004

摘要

本文针对集成电路中广泛应用的MOS器件,详细分析了其静电损伤的模式和物理过程,并对其防护措施进行简单介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常天海	华南理工大学电信学院	67	317	10.0	14.0
2	汪志成	华南理工大学电信学院	6	27	3.0	5.0
3	黎曦	华南理工大学电信学院	6	27	3.0	5.0
4	王再新	华南理工大学电信学院	1	2	1.0	1.0