GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析

• 作者: 张书敬 杨克武 杨瑞霞 高学邦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓场效应晶体管 微波集成电路 功率器件模型 测试结构 精确建模
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 439-443
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.023

摘要

在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAsHFET/PHEMT器件EEHEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武		26	186	6.0	13.0
3	高学邦		38	175	8.0	9.0
4	张书敬	河北工业大学信息工程学院	6	39	4.0	6.0