技术引领发展

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 经济
• 关键词: 技术 中高压变频器 变频调速装置 三电平变频器 研发周期 生产能力 资金投入 IGCT
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 1
• 页数: 1页
• 分类号: F456.167

摘要

近年来，我国变频调速装置的研发和生产能力在不断的提高，应用水平也有长足的进步。目前正在向高性能和高压大容量方向发展。所以，研制中高压变频器一直是热点之一，但由于其技术门坎高、资金投入大、研发周期长，也一直是该研究领域的难点之一。为此，“综述”栏目刊登了“基于IGCT的高压三电平变频器若干关键技术问题思考”文章，清华大学赵争鸣教授、博导对该系统的关键技术问题进行了分析和总结，所介绍的内容对广大变频器制造商和用户来说，很有参考价值。