GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs结构的选择湿法腐蚀

• 作者: 杨克武 杨帆 杨瑞霞 武一宾 陈宏江
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 柠檬酸 GaAs/AlxGa1-xAs系统 柠檬酸 选择性湿法腐蚀 GaAs MESFET
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 384-386,390
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.010

摘要

用a台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5:1到2:1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.在25℃.温度条件下,当腐蚀液体积比为1.5:1时,对Al摩尔分数x为0.2、0.3和1的GaAs/AlxGa1-xAs系统腐蚀比分别为45、74和大于200,表面腐蚀形貌均匀平整.将这种选择腐蚀技术用于GaAsMISFET的栅槽工艺,获得了良好的阈值电压均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息学院	180	759	13.0	18.0
2	杨帆	河北工业大学信息学院	84	332	9.0	14.0