13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件

• 作者: 何大伟 刘岳巍 吴小帅 杨克武 杨瑞霞 贾科进 阎德立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 器件 内匹配 HFET 功率合成
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1104-1106
• 页数: 3页
• 分类号: TN202.2
• 字数: 1457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.020

摘要

经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7～14.5 GHz频段内,输出功率Po＞42dBm(15.8W),功率增益Gp＞7dB,功率附加效率PAE＞35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm(17.9W),增益7.54dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
3	刘岳巍		5	4	2.0	2.0
4	贾科进	河北工业大学信息工程学院	24	134	6.0	10.0
5	吴小帅	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	68	4.0	8.0
6	何大伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	6	2.0	2.0
7	阎德立		1	2	1.0	1.0