S2-掺杂对Ce3+-SiO2材料发光性能的影响

• 作者: 吴玉程 徐光青 汤文明 郑治祥
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硫离子 铈离子掺杂二氧化硅 化学掺杂 气氛控制掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 10-15
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 4070字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2007.01.003

摘要

通过化学掺杂及气氛控制掺杂的手段对Ce3+-SiO2材料进行S2-掺杂改性,并对其光吸收和光致发光性能进行分析.研究阴离子掺杂对基体氧化硅材料缺陷态发光以及Ce3+的发光波长及强度的影响.结果表明:采用化学掺杂S2-可明显改变400～600 ℃热处理条件下344 nm和355 nm紫外发光强度与热处理温度的关系,但对Ce3+-SiO2材料在700～900 ℃热处理条件下产生的445 nm左右的蓝色发光影响不大;采用气氛控制手段实现S2-掺杂则可明显改变蓝色发光带的发光波长和发光强度,使发光波长由445 nm移向428 nm且发光强度为Ce3+-SiO2样品的十倍左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉程	合肥工业大学材料科学与工程学院	356	3745	28.0	45.0
2	徐光青	合肥工业大学材料科学与工程学院	54	383	10.0	16.0
3	郑治祥	合肥工业大学材料科学与工程学院	157	2008	24.0	36.0
4	汤文明	合肥工业大学材料科学与工程学院	104	841	16.0	23.0