ReSi1.75电子结构的第一性原理研究

• 作者: 吴建生 张澜庭 邱安宁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ReSi1.75 局域密度近似 自相互修正作用 电子结构
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4891-4895
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.086

摘要

基于第一性原理全势线性缀加平面波方法和局域密度近似(LDA),对ReSi1.75的基态晶格属性进行了研究.结构优化的结果表明,ReSi1.75的基态平衡晶格常数比实验值小约0.6%.在LDA计算基础上,考虑局域的Re的d电子库仑作用,用LDA+U方法计算了ReSi1.75的电子结构,发现当Ueff=U-J=4.4 eV时,能带结构呈半导体性质.具有0.12 ev的间接能隙和0.36 ev的直接能隙.有效质量计算结果表明,ReSi1.75晶体具有强烈的各向异性.Resi1.75的态密度在费米能级附近变化剧烈,通过掺杂改变材料的费米能级位置,有望提高材料的热电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张澜庭	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及高温测试开放实验室	35	254	10.0	13.0
2	吴建生	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及高温测试开放实验室	141	1402	19.0	30.0
3	邱安宁	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及高温测试开放实验室	1	0	0.0	0.0