不断发展中的IGBT技术概述

• 作者: 亢宝位 周文定
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体元器件 晶闸管 芯片/沟槽栅 绝缘栅双极晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 115-118
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 4820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2007.09.042

摘要

概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	亢宝位		28	291	10.0	16.0
2	周文定		3	84	3.0	3.0