基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计

• 作者: 刘丹 刘新宇 刘果果 姚小江 李宾 李诚瞻 王晓亮 罗卫军 陈小娟 陈延湖 魏珂
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 微波功率放大器 AlGaN/GaN HEMT 混合集成电路(MIC)
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1137-1139
• 页数: 3页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 1583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.003

摘要

我们设计研制了一个基于AlGaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120 μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4 dBm(4.4W),最大的PAE为42.7%.