408nm InGaN/GaN LED的材料生长及器件光学特性

• 作者: 刘国军 展望 王晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 GaN LED
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 104-107
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.022

摘要

通过提高InGaN量子阱结构的生长温度,降低量子阱In组分的掺入效率,提高InGaN/GaN量子阱结构生长质量,缩短LED输出波长等手段,实现了紫光LED高效率输出.采用高分辨率X射线双晶衍射、扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长InGaN/GaN多量子阱的结构和光学特性.封装后的300μm×300μm LED器件在20mA的注入电流下输出功率为5.2mW,输出波长为408nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
2	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
3	展望	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	5	1.0	1.0