高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化

• 作者: 刘媛媛 李璟 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锥形增益 脊形波导 980nm 光束质量因子
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 645-650
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.003

摘要

利用MOCVD生长980nm InGaAs-AlGaAs渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器外延片,采用锥形增益区脊形波导结构制备器件.保持总腔长1850μm不变,改变脊形区的长度分别为450,700和950μm,对比三种情况的P-I特性和光束质量.发现LRW＝450μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率达0.83W/A,饱和功率为4.28W.输出功率为1W时,远场发散角为7.5°×30.6°,M2因子为3.79.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	93	616	12.0	21.0
2	刘媛媛	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	30	168	8.0	12.0
3	李璟	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	11	23	2.0	4.0