氧氩流量比对Al掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

• 作者: 于芬 闫金良 马秋明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al掺杂ZnO薄膜 氧氩流量比 射频反应溅射 透光率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 153-156
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.036

摘要

为了研究氧气对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响,用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锌掺铝(ZAO)薄膜,靶材为锌铝合金靶,并研究了薄膜的透光率跟氧氩流量比的关系以及同一氧氩流量比下薄膜光学性能随温度变化的规律.实验结果表明,200℃下氧氩流量比为1:35时有最佳的透光率.250℃下氧氩流量比为1:30时有最佳的透光率;300℃下氧氩流量比为1:15时有最佳的透光率.同一氧氩流量比1:25时,200℃下制备的ZAO薄膜有最佳的透光性.温度更高或者更低都导致薄膜的透光性能变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫金良	鲁东大学物理与电子工程学院	25	100	5.0	8.0
2	马秋明	鲁东大学物理与电子工程学院	9	41	2.0	6.0
3	于芬	鲁东大学物理与电子工程学院	2	15	1.0	2.0