一种非均匀掺杂的全耗尽SOI-MOSFET阈值电压模型

• 作者: 周凯 张国和 邵志标
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽SOI-MOSFET 非均匀掺杂 表面势 阈值电压
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 842-847
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.005

摘要

对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型.模型结果与MEDICI数值模拟结果符合得很好,表明了模型的准确性,这为实践中分析与控制非均匀掺杂的全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压提供了一种新的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵志标	西安交通大学电子科学与技术系	42	180	9.0	10.0
2	张国和	西安交通大学电子科学与技术系	14	45	4.0	6.0
3	周凯	西安交通大学电子科学与技术系	7	8	2.0	2.0