面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器

• 作者: 张健 张海英 李志强 陈普锋 陈立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 单片微波集成电路 无线通信 InGaP/GaAs异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体学报
• 页码范围: 823-828
• 页数: 6页
• 分类号: TN752.5
• 字数: 945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.002

摘要

介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0～2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院微电子研究所	272	3714	30.0	51.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	李志强	中国科学院微电子研究所	53	335	11.0	15.0
4	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
5	陈普锋	中国科学院微电子研究所	2	20	2.0	2.0